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| ICP光谱法测定无氧铜中的杂质元素 | |
无氧铜材性能兼备了电子韧铜和磷脱氧铜二者的综合优点即高导电性和良好的焊接性能(尤其是在氢气气氛下钎焊等)，这个优点是其他铜及铜合金所无法替代的。当今电子 、电气、通信等行业发展十分迅速，无氧铜材在半导体、可控硅真空电子管、粒子加速器 、微波通信、雷达、超导 、电力贮存、磁动力等成套系统及设备元器件中被大量使用，随着计算机 CPU 的工作电压降低，无氧铜材在未来有可能替代目前的框架材料。工业批量生产无氧铜国标为TUI 氧含量在 20ppm以下，Cu 含量大于等于 99.97%，美国无氧铜最优级牌号为 c 10 l00，含氧5pp m 以 下 ，C u 含量大于等于99.99%(4N ),而无氧铜的生产要求严格控制化学成分，由于杂质元素允许含量很低, 以往的测定方法(包括国标方法),有原子吸收法、分光光度法、催化极谱法和电感耦合等离子体发射光谱法,高纯金属痕量杂质的测定过程中, 为消除基体干扰, 往往要进行样品的前处理工作, 常将基体分离后, 再进行测定。 |
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